Hersteller Produktnummer:
CTLDM304P-M832DS TR
Product Overview
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Teilenummer:
CTLDM304P-M832DS TR-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 4.2A 1.65W Surface Mount TLM832DS
Inventar:
2961 Stück Neu Original Auf Lager
12789405
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CTLDM304P-M832DS TR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Central Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
760pF @ 15V
Leistung - Max
1.65W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-TDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
TLM832DS
Basis-Produktnummer
CTLDM304P
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
-CTLDM304P-M832DS TR-DG
CTLDM304P-M832DS TR LEAD FREE
-CTLDM304P-M832DS TR-DKR-DG
CTLDM304P-M832DS DKR-DG
-CTLDM304P-M832DSDKR
-CTLDM304P-M832DS CT-DG
CTLDM304P-M832DSDKR
-CTLDM304P-M832DSCT
CTLDM304P-M832DSTR
CTLDM304P-M832DS DKR
CTLDM304P-M832DS TR PBFREE
CTLDM304P-M832DS CT
CTLDM304P-M832DS TR-DG
CTLDM304P-M832DS CT-DG
-CTLDM304P-M832DS DKR-DG
CTLDM304P-M832DSCT
-CTLDM304P-M832DS TR PBFREE
-CTLDM304P-M832DS TR-DKR
-CTLDM304P-M832DS TR-CT-DG
-CTLDM304P-M832DS TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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